Вертикальное разрешение

0.1 нм

Горизонтальное разрешение

10 нм

Тип системы

Настольная

Максимальный размер образцов

⌀ 100 мм

Назначение

Исследования

Тип столика

Ручной

Режим отображения топографии

2D

Диапазон сканирования по Z оси

80 мкм

Диапазон хода столика по XY оси

100 мм

Диапазон хода столика по Z оси

10 мм

Точность хода столика по XY оси

5 мкм

Усилие давления стилуса

От 0.5 до 50 мг (постоянный контроль)

Скорость сканирования

От 5 мкм/c до 50 мкм/с

Модель

S

M

XL

Вертикальное разрешение

0.1 нм

Горизонтальное разрешение

10 нм

Тип системы

Настольная

Напольная

Максимальный размер образцов

⌀ 100 мм

⌀ 150 мм

⌀ 200 мм

⌀ 300 мм

⌀ 250 мм

⌀ 300 мм

Назначение

Исследования

Образование

Исследования

Образование

Исследования

Производство

Тип столика

Ручной

Моторизованный

Режим отображения топографии

2D

2D/3D

Виброизоляционная платформа

Опционально

Встроенная

Диапазон сканирования по Z оси

250 мкм

Диапазон хода столика по XY оси

150 мм

150 мм

200 мм

300 мм

250 мм и более

Диапазон хода столика по Z оси

10 мм

10 мм

10 мм и более

Точность хода столика по XY оси

5 мкм

Усилие давления стилуса

до 50 мг (постоянный контроль)

Опции

Z-сканер (до 1 мм)

Виброплатформа

Автозагрузчик, FFU-модуль и др.

Калибровочные образцы

Тип системы

Thermal Atomic Layer Deposition (TALD)

Конструкция камеры

вакуумная двойная камера (Nested vacuum double chamber)

Максимальный размер подложки

До 8 дюймов

Температура реакции

50–500°C

Время цикла

≤2.5 сек

Количество каналов прекурсоров

4

Вакуум

<5E-6 Torr

Неравномерность покрытия

≤±1%

Питание

380V AC, 50-60 Hz

Поддерживаемые материалы

Оксиды (Al₂O₃, HfO₂), соединения VI группы (MoS₂), нитриды (TiN), элементарные вещества (Si)

Дополнительные особенности

Быстрая замена внутренних модулей, совместимость с жидкими и газообразными прекурсорами

Тип системы

Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)

Конструкция камеры

Многослойная равномерная структура подачи газа

Источник плазмы

ICP, 13.56 МГц, 1000W

Максимальный размер подложки

До 8 дюймов

Температура реакции

50–500°C

Количество газовых каналов

6

Неравномерность покрытия

<2%

Вакуум

<5E-6 Torr

Поддерживаемые материалы

Оксиды (Al₂O₃), нитриды (SiNₓ), кремниевые материалы, органические пленки

Дополнительные особенности

Возможность работы с жидкими и газообразными прекурсорами

Тип системы

Physical Vapour Deposition (PVD)

Конструкция камеры

Вращающийся столик, 3 мишени

Мощность

1000W RF, 500W DC

Максимальный размер подложки

До 8 дюймов

Температура реакции

50–500°C

Количество газовых каналов

4

Неравномерность покрытия

<±5%

Вакуум

<5E-6 Torr

Поддерживаемые материалы

Металлы (Al, Cu), сплавы (TiW), оксиды (ITO)

Дополнительные особенности

Возможность реактивного напыления, одновременное использование двух мишеней

Тип системы

Cluster deposition (4 модуля)

Поддерживаемые процессы

ALD, PVD, термическое испарение

Скорость передачи подложек

Ротационный механизм

Максимальный размер подложки

До 8 дюймов

Количество газовых каналов

2 (опционально)

Вакуум

<5E-7 Torr

Поддерживаемые материалы

Перовскиты (MAPbI₃), оксиды (ITO), металлы (Al, Cu), органические материалы

Дополнительные особенности

Полный вакуумный цикл, возможность интеграции дополнительных модулей

Тип системы

Atomic Layer Etching (ALE)

Источник плазмы

ICP, 13.56 МГц, 1000W

Глубина травления

До 100 мкм

Неравномерность травления

<±5%

Максимальный размер подложки

До 8 дюймов

Количество газовых каналов

6

Вакуум

<5E-6 Torr

Охлаждение подложки

Гелиевое (He backside cooling)

Поддерживаемые материалы

Перовскиты (MAPbI₃), оксиды (ITO), металлы (Al, Cu), органические материалы

Дополнительные особенности

Полный вакуумный цикл, возможность интеграции дополнительных модулей

Тип системы

Reactive Ion Etching (RIE)

Источник плазмы

CCP, 13.56 МГц, 1000W

Глубина травления

До 100 мкм

Неравномерность травления

<±5%

Максимальный размер подложки

До 8 дюймов

Количество газовых каналов

6

Вакуум

<5E-6 Torr

Питание

380V AC, 50-60 Hz

Поддерживаемые материалы

Перовскиты (MAPbI₃), оксиды (ITO), металлы (Al, Cu), органические материалы

Дополнительные особенности

Полный вакуумный цикл, возможность интеграции дополнительных модулей

Тип системы

Inductevely Coupled Plasma Reactive Ion Etching (ICP-RIE)

Источник плазмы

ICP, 13.56 МГц, 1000W

Неравномерность травления

<±5%

Максимальный размер подложки

До 8 дюймов

Количество газовых каналов

6 (расширяемо)

Вакуум

<5E-6 Torr

Питание

380V AC, 50-60 Hz

Поддерживаемые материалы

Алюминий, медь, сплавы, кремний

Дополнительные особенности

Высокая плотность плазмы, совместимость с процессами глубокого травления

Тип системы

Вакуумная печь

Максимальная температура

1000°C

Количество температурных зон

3

Количество газовых каналов

2

Программируемые циклы

Нагрев/охлаждение (до 20 программ)

Размер рабочей зоны

250мм

Поддерживаемые материалы

Кремний (легирование бором/фосфором), оксиды, нитриды

Дополнительные особенности

Высокая точность контроля температуры, совместимость с кварцевыми лодочками

Тип системы

Контактная/проекционная литография

Источник света

LED (365 нм), срок службы >10 000 часов

Разрешение

1 мкм

Питание

220V AC, 50-60 Hz

Максимальный размер маски

7×7 дюймов (2/3/4 дюйма)

Равномерность экспозиции

<±5%

Управление

Программное (ПК-интерфейс)

Дополнительные особенности

Цветная камера и двойной CCD-дисплей для контроля процесса

Тип системы

Программируемая центрифуга

Максимальный размер образцов

До 8 дюймов

Скорость вращения

300–8000 об/мин

Равномерность нанесения покрытия

±3%

Антистатическое управление

Да

Питание

40W

Поддерживаемые материалы

Фоторезисты, растворы для покрытий

Дополнительные особенности

Коррозионностойкая конструкция

Тип системы

Центрифуга с сушкой

Максимальный размер образцов

До 8 дюймов

Скорость вращения

300–2000 об/мин

Время сушки

Программируемое (до 10 часов)

Материалы камеры

Нержавеющая сталь

Защита

Устойчивость к кислотным парам, антистатическое управление

Дополнительные особенности

Быстрый старт, стабильная работа при высоких нагрузках

Тип системы

Программируемая термоплита

Максимальная температура

150°C (стандарт), 300°C (опционально)

Равномерность нагрева

±2%

Количество программ

До 20 программ (30 ступеней на программу)

Время этапа

До 10 часов на ступень

Совместимость

Подложки до 8 дюймов

Дополнительные особенности

Функция подъема подложки (lift pin), поддержка близкого контакта (proximity baking)

Режим

Nano

Standard

Ширина лини*/мкм

0.45

1

Разрешение*/мкм

0.5

1

Выравнивание/мкм(50*50мм²)

0.8

0.8

Точность совмещения /мкм

0.8

0.8

Максимальная скорость / мм²/мин

4

30

Столик образца

Сервоприводной XY-стол на воздушных подшипниках

Максимальный диапазон экспонирования

200*200 мм²

Повторяемость

±0.1 мкм

Источник излучения LED

405нм

Фоторезист

i-line/g-line

Режим работы в градациях серого

128 оттенков

Режим векторного экспонирования

с помощью гальвано-зеркал

Автофокусировка

включена, диапазон 180мкм

Автоматические выравнивание

включено

Режим работы «на лету»

включен

Состав комплекса

- Установка безмаскового совмещения и экспонирования;

- Оптический стол с пассивной системой виброизоляции;

- Блок электроники литографа;

- ПК и программное обеспечение;

- Однофазный ИБП с функцией стабилизации напряжения.

Доступные опции

- Ultra-high speed processing module

Модуль быстрого сканирования

- Vector writing mode

Возможность векторной развертки лазерного луча (отдельный канал, в котором лазер разворачивается так, чтобы ходить по вектору)⁠ ⁠

⁠- Pseudo vector mode

Псевдо-векторный режим, в котором обработка идёт не отдельным каналом, а за счет программного высчитывания области с сканированием стандартной разверткой DMD зеркалами.

⁠- Confocal scanning system⁠

Сканирующая система на базе конфокальной схемы

- Laser energy stabilization system

Дополнительная система стабилизации лазерного излучения

⁠- Polarization control system

Контроль поляризации

- Fluorescence detection system

Детектор флюоресценции

Компонент

Характеристика

Генератор шаблонов

0,65" DMD (1920×1080 пикс.)

Световой поток

4 Вт

Длина волны

365 / 385 / 405 нм

Интенсивность

до 1,3 Вт/см²

Равномерность экспозиции

>90%

Камера

CMOS-сенсор 1/1,8"

Интерфейсы

USB 2.0, HDMI

Питание

110–220 В, 60 Вт

Поддерживаемые ОС

Windows 10/11

Оптическая схема

Сферическая решётка Type IV; один оптический элемент

Рабочий спектральный диапазон

100–600 нм в вакууме; 190–600 нм при атмосферном давлении

Режим монохроматора

Монохроматор с перестройкой длины волны

Режим спектрографа

Исполнение спектрографа для CCD 1 дюйм или MCP — по запросу

Регистрация с ФЭУ типа 1

120–195 нм

Регистрация с ФЭУ типа 2

120–300 нм

Регистрация с ПЗС-детектором

200–300 нм; сканирование

Дифракционные решётки

1 решётка

Номинальная плотность штрихов решётки

1200 штрихов/мм

Номинальные оптические расстояния

От входной щели до решётки — 200 мм; от решётки до выходной щели — 187,9 мм

Сканирование длины волны

Червячный привод сканирования; встроенный USB 2.0, без отдельного контроллера монохроматора

Юстировка решётки

Механизм регулировки и фиксации положения решётки

Входная щель

1 входная микрометрическая щель

Выходная щель

1 выходная микрометрическая щель

Регулировка ширины щелей

10–3000 мкм; микрометрическая регулировка

Порт линейного детектора

Для CCD 1 дюйм или MCP — в исполнении спектрографа по запросу

Вакуумное присоединение

1 присоединение KF40. У H20-UVL: откачка DN63 LF; вход/выход DN25 KF. Это другие присоединения.

Конструкция блока

Опорная плита, вакуумная камера, защитный корпус, оптическая плита, узлы юстировки и сканирования

Типы применяемых ФЭУ

Hamamatsu R13194 и R10824

Вакуум (остаточное давление)

5 × 10⁻⁴ (5 × 10⁻⁶ мбар)

Условия нормирования характеристик ФЭУ

Электрические и временные характеристики ФЭУ: при 25 °C и напряжении анод–катод 1000 В

Спектральный диапазон чувствительности

115–195 нм

Номинальная длина волны максимальной чувствительности

130 нм

Материал фотокатода

Cs–I

Входное окно

MgF₂

Геометрия приёма излучения

Боковое окно

Номинальный диаметр трубки

13 мм

Эффективная фотоприёмная область

4 × 9,5 мм

Число динодов

9

Структура динодной системы

Circular-cage

Цоколь

11-контактный

Напряжение анод–катод, предельное

1250 В

Напряжение между соседними электродами, предельное

150 В

Средний анодный ток, предельный

10 мкА

Катодная чувствительность, типовая

25,5 мА/Вт при 121,6 нм

Квантовая эффективность, типовая

26 % при 121,6 нм

Анодная чувствительность, типовая

1,0 × 10⁵ А/Вт при 121,6 нм

Коэффициент усиления, типовой

3,9 × 10⁶

Темновой анодный ток после 30 мин выдержки в темноте

0,05 нА (типовое); 1 нА (паспортный максимум)

Отношение анодной чувствительности на 121,6 и 300 нм, типовое

8500

Время нарастания анодного импульса, типовое

1,4 нс

Время пролёта электронов, типовое

15 нс

Рабочая температура и температура хранения

От −30 до +50 °C при работе и хранении

Номинальная масса трубки

7,2 г

Условия подачи высокого напряжения

Для ФЭУ типа 1 подача высокого напряжения допускается при атмосферном давлении вокруг трубки либо при давлении менее 0,1 Па

Условия нормирования характеристик ФЭУ

Электрические и временные характеристики ФЭУ: при 25 °C и напряжении анод–катод 1000 В

Спектральный диапазон чувствительности

115–320 нм

Номинальная длина волны максимальной чувствительности

200 нм

Материал фотокатода

Cs–Te

Входное окно

MgF₂

Геометрия приёма излучения

Боковое окно

Номинальный диаметр трубки

13 мм

Эффективная фотоприёмная область

4 × 9,5 мм

Число динодов

9

Структура динодной системы

Circular-cage

Цоколь

11-контактный

Напряжение анод–катод, предельное

1250 В

Напряжение между соседними электродами, предельное

150 В

Средний анодный ток, предельный

10 мкА

Катодная чувствительность, типовая

40 мА/Вт при 254 нм

Квантовая эффективность, типовая

19,5 % при 254 нм

Анодная чувствительность, типовая

1,6 × 10⁵ А/Вт при 254 нм

Коэффициент усиления, типовой

4,0 × 10⁶

Темновой анодный ток после 30 мин выдержки в темноте

0,1 нА (типовое); 2 нА (паспортный максимум)

Время нарастания анодного импульса, типовое

1,4 нс

Время пролёта электронов, типовое

15 нс

Рабочая температура и температура хранения

От −30 до +50 °C при работе и хранении

Номинальная масса трубки

7,0 г

Совместимые ФЭУ

Hamamatsu R13194 и R10824; боковое окно, трубка 13 мм, цоколь на 11 контактов

Схема делителя

10 последовательно соединённых резисторов по 330 кОм; равномерное распределение напряжения 1:1:1:1:1:1:1:1:1:1

Номинальное суммарное сопротивление

3,30 МОм

Шунтирующие конденсаторы

3 шт. по 10 нФ в последних каскадах

Полярность питания

Отрицательное высокое напряжение на катоде; анод заземлён по постоянному току

Предельное напряжение питания

1250 В

Ток делителя при 1250 В

0,38 мА

Электрическая прочность изоляции между корпусом и контактами

1500 В

Ток утечки сигнальной цепи при 1000 В

1 × 10⁻¹⁰ А (паспортный максимум)

Режимы сигнального выхода

Регистрация постоянного и импульсного сигнала

Допустимый линейный выходной ток делителя

18 мкА при 1250 В; пределы нелинейности ±5 %. Предельный средний анодный ток R13194 и R10824 — 10 мкА

Подключение внешней электроники

Коаксиальный выход на измеритель анодного сигнала; отдельные выводы для внешнего высоковольтного питания и общего провода

Конструктивный элемент крепления

Крепёжный фланец на колодке

Среда эксплуатации

Атмосферное давление; размещение вне вакуумной полости

Рабочая температура

От 0 до +50 °C; без конденсации

Температура хранения

От −15 до +60 °C