| Профессиональное оборудование для микроэлектроники ООО "МИКРОКС" специализируется на поставках оборудования для технологических процессов микроэлектроники, обеспечивает предприятия и научно-исследовательские организации высокоточным оборудованием, необходимым для реализации полного цикла производства микроэлектронных устройств. Также компания предлагает полный спектр тестового и контрольно-измерительного оборудования. Таким образом, деятельность компании охватывает весь спектр технологических процессов микроэлектроники, включая литографию, осаждение, травление, легирование, полировку и тестирование, обеспечивая клиентов передовыми решениями для реализации как текущих, так и перспективных технологических решений. |
Профилометр используется для анализа в микроэлектронике (кремниевые пластины, подложки, MEMS устройства и др.), при анализе металлов, оптических компонентов, печатных плат, в образовательных целях.
Устройство поддерживает бесшовное сканирование до 55 мм и оснащено автоматизированным столиком для образцов диаметром от 150 до 300 мм. Встроенные система контроля нажатия стилуса и виброизоляционная платформа обеспечивают высокую линейность измерений. Профилометр комплектуется ПО для анализа данных, а также имеет возможность интеграции в производственные линии (опциональные автозагрузчик, FFU модуль и др.). Среди аналогов стилусного профилометра StylScan — модели KLA (Tencor, Alphastep), Taylor Hobson, Bruker Dektak и др.
Скачать буклет стилусного профилометра StylScan
Технические характеристики:
Модель | S | M | XL |
Вертикальное разрешение | 0.1 нм | ||
Горизонтальное разрешение | 10 нм | ||
Тип системы | Настольная | Напольная | |
Максимальный размер образцов | ⌀ 100 мм | ⌀ 150 мм ⌀ 200 мм ⌀ 300 мм | ⌀ 250 мм ⌀ 300 мм |
Назначение | Исследования Образование | Исследования Образование | Исследования Производство |
Тип столика | Ручной | Моторизованный | |
Режим отображения топографии | 2D | 2D/3D | |
Виброизоляционная платформа | Опционально | Встроенная | |
Диапазон сканирования по Z оси | 250 мкм | ||
Диапазон хода столика по XY оси | 150 мм | 150 мм 200 мм 300 мм | 250 мм и более |
Диапазон хода столика по Z оси | 10 мм | 10 мм | 10 мм и более |
Точность хода столика по XY оси | 5 мкм | ||
Усилие давления стилуса | до 50 мг (постоянный контроль) | ||
Опции | Z-сканер (до 1 мм) Виброплатформа Автозагрузчик, FFU-модуль и др. Калибровочные образцы | ||
Технические характеристики:
Тип системы | Thermal Atomic Layer Deposition (TALD) |
Конструкция камеры | вакуумная двойная камера (Nested vacuum double chamber) |
Максимальный размер подложки | До 8 дюймов |
Температура реакции | 50–500°C |
Время цикла | ≤2.5 сек |
Количество каналов прекурсоров | 4 |
Вакуум | <5E-6 Torr |
Неравномерность покрытия | ≤±1% |
Питание | 380V AC, 50-60 Hz |
Поддерживаемые материалы | Оксиды (Al₂O₃, HfO₂), соединения VI группы (MoS₂), нитриды (TiN), элементарные вещества (Si) |
Дополнительные особенности | Быстрая замена внутренних модулей, совместимость с жидкими и газообразными прекурсорами |
Технические характеристики:
Тип системы | Plasma Atomic Layer Deposition (ICP-ALD) |
Конструкция камеры | вакуумная двойная камера (Nested vacuum double chamber) |
Источник плазмы | ICP-плазма, 13.56 МГц, 1000W |
Максимальный размер подложки | До 8 дюймов |
Температура реакции | 50–500°C |
Время цикла | 2–5 сек |
Количество газовых каналов | 6 |
Неравномерность покрытия | ≤±1% |
Питание | 380V AC, 50-60 Hz |
Поддерживаемые материалы | Оксиды (Al₂O₃), нитриды (TiN), металлы (Cu, W), органические пленки |
Дополнительные особенности | Быстрая замена внутренних модулей, совместимость с гибкими подложками |
Технические характеристики:
Тип системы | Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) |
Конструкция камеры | Многослойная равномерная структура подачи газа |
Источник плазмы | ICP, 13.56 МГц, 1000W |
Максимальный размер подложки | До 8 дюймов |
Температура реакции | 50–500°C |
Количество газовых каналов | 6 |
Неравномерность покрытия | <2% |
Вакуум | <5E-6 Torr |
Поддерживаемые материалы | Оксиды (Al₂O₃), нитриды (SiNₓ), кремниевые материалы, органические пленки |
Дополнительные особенности | Возможность работы с жидкими и газообразными прекурсорами |
Технические характеристики:
Тип системы | Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) |
Конструкция камеры | Многослойная равномерная структура подачи газа |
Источник плазмы | ICP, 13.56 МГц, 1000W |
Максимальный размер подложки | До 8 дюймов |
Температура реакции | 50–500°C |
Количество газовых каналов | 6 |
Неравномерность покрытия | <2% |
Вакуум | <5E-6 Torr |
Поддерживаемые материалы | Оксиды (Al₂O₃), нитриды (SiNₓ), кремниевые материалы, органические пленки |
Дополнительные особенности | Возможность работы с жидкими и газообразными прекурсорами |
Технические характеристики:
Тип системы | Remote Plasma Chemical Vapor Deposition (ICP-CVD) + ALD |
Конструкция камеры | Двухрежимная (CVD и ALD) |
Источник плазмы | ICP, 13.56 МГц, 1000W |
Максимальный размер подложки | До 8 дюймов |
Температура реакции | 50–500°C |
Количество газовых каналов | 8 |
Неравномерность покрытия | ≤±2% |
Вакуум | <5E-6 Torr |
Поддерживаемые материалы | Оксиды (SiO₂), нитриды (TiN), металлы (Al, Cu), органические материалы |
Дополнительные особенности | Поддержка жидких и газообразных прекурсоров, возможность создания многослойных структур |
Технические характеристики:
Тип системы | Physical Vapour Deposition (PVD) |
Конструкция камеры | Вращающийся столик, 3 мишени |
Мощность | 1000W RF, 500W DC |
Максимальный размер подложки | До 8 дюймов |
Температура реакции | 50–500°C |
Количество газовых каналов | 4 |
Неравномерность покрытия | <±5% |
Вакуум | <5E-6 Torr |
Поддерживаемые материалы | Металлы (Al, Cu), сплавы (TiW), оксиды (ITO) |
Дополнительные особенности | Возможность реактивного напыления, одновременное использование двух мишеней |
Технические характеристики:
Тип системы | Cluster deposition (4 модуля) |
Поддерживаемые процессы | ALD, PVD, термическое испарение |
Скорость передачи подложек | Ротационный механизм |
Максимальный размер подложки | До 8 дюймов |
Количество газовых каналов | 2 (опционально) |
Вакуум | <5E-7 Torr |
Поддерживаемые материалы | Перовскиты (MAPbI₃), оксиды (ITO), металлы (Al, Cu), органические материалы |
Дополнительные особенности | Полный вакуумный цикл, возможность интеграции дополнительных модулей |
Технические характеристики:
Тип системы | Atomic Layer Etching (ALE) |
Источник плазмы | ICP, 13.56 МГц, 1000W |
Глубина травления | До 100 мкм |
Неравномерность травления | <±5% |
Максимальный размер подложки | До 8 дюймов |
Количество газовых каналов | 6 |
Вакуум | <5E-6 Torr |
Охлаждение подложки | Гелиевое (He backside cooling) |
Поддерживаемые материалы | Перовскиты (MAPbI₃), оксиды (ITO), металлы (Al, Cu), органические материалы |
Дополнительные особенности | Полный вакуумный цикл, возможность интеграции дополнительных модулей |
Технические характеристики:
Тип системы | Reactive Ion Etching (RIE) |
Источник плазмы | CCP, 13.56 МГц, 1000W |
Глубина травления | До 100 мкм |
Неравномерность травления | <±5% |
Максимальный размер подложки | До 8 дюймов |
Количество газовых каналов | 6 |
Вакуум | <5E-6 Torr |
Питание | 380V AC, 50-60 Hz |
Поддерживаемые материалы | Перовскиты (MAPbI₃), оксиды (ITO), металлы (Al, Cu), органические материалы |
Дополнительные особенности | Полный вакуумный цикл, возможность интеграции дополнительных модулей |
Технические характеристики:
Тип системы | Inductevely Coupled Plasma Reactive Ion Etching (ICP-RIE) |
Источник плазмы | ICP, 13.56 МГц, 1000W |
Неравномерность травления | <±5% |
Максимальный размер подложки | До 8 дюймов |
Количество газовых каналов | 6 (расширяемо) |
Вакуум | <5E-6 Torr |
Питание | 380V AC, 50-60 Hz |
Поддерживаемые материалы | Алюминий, медь, сплавы, кремний |
Дополнительные особенности | Высокая плотность плазмы, совместимость с процессами глубокого травления |
Технические характеристики:
Тип системы | Вакуумная печь |
Максимальная температура | 1000°C |
Количество температурных зон | 3 |
Количество газовых каналов | 2 |
Программируемые циклы | Нагрев/охлаждение (до 20 программ) |
Размер рабочей зоны | 250мм |
Поддерживаемые материалы | Кремний (легирование бором/фосфором), оксиды, нитриды |
Дополнительные особенности | Высокая точность контроля температуры, совместимость с кварцевыми лодочками |
Технические характеристики:
Тип системы | Контактная/проекционная литография |
Источник света | LED (365 нм), срок службы >10 000 часов |
Разрешение | 1 мкм |
Питание | 220V AC, 50-60 Hz |
Максимальный размер маски | 7×7 дюймов (2/3/4 дюйма) |
Равномерность экспозиции | <±5% |
Управление | Программное (ПК-интерфейс) |
Дополнительные особенности | Цветная камера и двойной CCD-дисплей для контроля процесса |
Технические характеристики:
Тип системы | Программируемая центрифуга |
Максимальный размер образцов | До 8 дюймов |
Скорость вращения | 300–8000 об/мин |
Равномерность нанесения покрытия | ±3% |
Антистатическое управление | Да |
Питание | 40W |
Поддерживаемые материалы | Фоторезисты, растворы для покрытий |
Дополнительные особенности | Коррозионностойкая конструкция |
Технические характеристики:
Тип системы | Центрифуга с сушкой |
Максимальный размер образцов | До 8 дюймов |
Скорость вращения | 300–2000 об/мин |
Время сушки | Программируемое (до 10 часов) |
Материалы камеры | Нержавеющая сталь |
Защита | Устойчивость к кислотным парам, антистатическое управление |
Дополнительные особенности | Быстрый старт, стабильная работа при высоких нагрузках |
Технические характеристики:
Тип системы | Программируемая термоплита |
Максимальная температура | 150°C (стандарт), 300°C (опционально) |
Равномерность нагрева | ±2% |
Количество программ | До 20 программ (30 ступеней на программу) |
Время этапа | До 10 часов на ступень |
Совместимость | Подложки до 8 дюймов |
Дополнительные особенности | Функция подъема подложки (lift pin), поддержка близкого контакта (proximity baking) |
Компактный, но вместе с тем полнофункциональный безмасковый литограф MT UV litho подходит как для проведения исследований и разработок, так и для быстрой обработки и мелкосерийного производства различных изделий: фотошаблоны, полупроводниковые структуры, квантовые устройства и многое другое. Модульная конструкция системы обеспечивает легкую модернизацию и расширение возможностей системы.
Лазерный литограф MT UV litho cовместимо с DXF, GDSII, STL, BMP, PNG и другими форматами файлов, и обеспечивает измерение результатов обработки в реальном времени. Автоматическая фокусировка системы производится всего одним нажатием и отслеживается в реальном времени в ПО управления прибора. Максимальная область печати составляет 200 мм x 200 мм и обеспечивает совместимость с работой с различными 8-дюймовыми подложками, включая подложки из стекла, сапфира, металла, кремния и других материалов.
Технические характеристики:
Режим | Nano | Standard |
Ширина лини*/мкм | 0.45 | 1 |
Разрешение*/мкм | 0.5 | 1 |
Выравнивание/мкм(50*50мм2) | 0.8 | 0.8 |
Точность совмещения /мкм | 0.8 | 0.8 |
Максимальная скорость / мм2/мин | 4 | 30 |
Столик образца | Сервоприводной XY-стол на воздушных подшипниках | |
Максимальный диапазон экспонирования | 200*200 мм2 | |
Повторяемость | ±0.1 мкм | |
Источник излучения LED | 405нм | |
Фоторезист | i-line/g-line | |
Режим работы в градациях серого | 128 оттенков | |
Режим векторного экспонирования | с помощью гальвано-зеркал | |
Автофокусировка | включена, диапазон 180мкм | |
Автоматические выравнивание | включено | |
Режим работы «на лету» | включен | |
Состав комплекса | - Установка безмаскового совмещения и экспонирования; - Оптический стол с пассивной системой виброизоляции; - Блок электроники литографа; - ПК и программное обеспечение; - Однофазный ИБП с функцией стабилизации напряжения. | |
Доступные опции | ||
- Ultra-high speed processing module | Модуль быстрого сканирования | |
- Vector writing mode | Возможность векторной развертки лазерного луча (отдельный канал, в котором лазер разворачивается так, чтобы ходить по вектору) | |
- Pseudo vector mode | Псевдо-векторный режим, в котором обработка идёт не отдельным каналом, а за счет программного высчитывания области с сканированием стандартной разверткой DMD зеркалами. | |
- Confocal scanning system | Сканирующая система на базе конфокальной схемы | |
- Laser energy stabilization system | Дополнительная система стабилизации лазерного излучения | |
- Polarization control system | Контроль поляризации | |
- Fluorescence detection system | Детектор флюоресценции | |
